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Home Personajes Hoerni, Jean Amédée

Hoerni, Jean Amédée Destacado

Hoerni, Jean Amédée
  • Nacimiento: 1924
  • Fallecimiento: 1997
  • Origen: Suiza
  • Hechos destacados:: Fue uno de los pioneros en la creación del transistor de silicio.
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Jean Amédée Hoerni nació el 26 de septiembre de 1924 en Suiza. En 1952, se traslado a Estados Unidos para trabajar en el instituto de tecnología de california (California Institute of Technology) donde conoció a William Shockley, el fundador de Silicon Valley.


Pocos años después William Shockley contrato a Hoerni para trabajar con él, pero después de un año Hoerni y otras siete personas decidieron dejar a Shockley, ya que no estaban de acuerdo con su gestión de opresión.  A partir de ahí se les conoce como los ocho traidores, fundaron la FCI, el principal problema que enfrenta la industria en ese momento era la tiranía de los números, el número de circuitos que podían ser comprimidos en un dispositivo estaba limitado. En el doble transistor de difusión, los tres diminutos chips de la capa de silicio PNP eran muy propensos a la contaminación, un poco de polvo o una carga eléctrica podría influir en el comportamiento del transistor. A esto Hoerni en 1958 le encontró solución. Sugirió poner una capa de óxido de silicio en la parte superior del chip. Esto iba en contra de la creencia de la época de que el silicio en sí era una contaminante. Ellos descubrieron que el óxido se mantuvo firme en el silicio y lo protegía de contaminarse. Lo llamaron el proceso planar porque el producto final tenía una superficie plana en la parte superior.

 

Hoerni fundó Amelco en 1961 (conocida ahora como teledyne), en 1964  la Union Carbide Electronics, y  por último VA en 1967. También fundo Intersil Inc., que trata principalmente con el desarrollo de  señales analógicas y de señal mixta de circuitos integrados. Murio finalmente en 1997.

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